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CVD化學氣相沉積裝置 |
1、升華室主要包括有不銹鋼容器,不銹鋼高溫閥、壓力表、電熱合金絲發熱體、質子流量計、熱電偶、溫控裝置和保溫系統。主要用于對前驅體的加熱升華和調控通入反應室的氣體流量, 控溫溫度可以在100-700℃之間自由設定,由K分度號熱電偶+精密數顯程序控溫儀實現升華室溫度的自動程序升降,控溫精度:±1℃,升華室配置數量為2個。 2、反應室主要包括不銹鋼容器、壓力表、質子流量計、電熱合金絲發熱體、熱電偶、溫控系統、真空系統、保溫系統、載物臺?販販囟瓤梢栽100-900℃之間自由設定,由K分度號熱電偶+精密數顯程序控溫儀實現反應室溫度的自動程序升降,控溫精度:±1℃,反應室配置數量為1個。 3、氣路系統采用∮6×1mm,316L材質不銹鋼管實現氣體的運輸、氣體流量的精確控制、減壓閥的準確快速切換以及廢氣的處理。在氣體運輸過程中,需要對管道進行加熱保溫處理,防止混合氣體在運輸過程中發生冷凝,加熱系統由K分度號熱電偶+智能數顯控溫儀+電熱合金絲發熱體實現氣路管道的溫度控制,控溫精度:±1℃。 4、真空系統主要用于控制反應室內壓強,保證化學氣相沉積反應能在預定的壓強下進行實驗,真空度:10Pa。
CVD化學氣相沉積 化學氣相沉積反應裝置 CVD管式爐 |
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